题目：二氧化锡材料的紫外光电应用研究
报告人：邓蕊
内容简介：
二氧化锡（SnO2）是直接宽禁带半导体，带隙处于紫外区，但它的能带对称性决定了电子在导带底和价带顶之间的跃迁是禁戒的（偶极跃迁禁戒规则），限制了它在紫外光电领域的应用。为拓展SnO2在紫外光电领域的应用，我们的研究主要致力于探寻如何打破偶极跃迁禁戒规则，恢复及增强带边紫外发光和光吸收的有效方法，获得调控SnO2紫外光电性能的技术手段，并在此基础上获得基于SnO2的紫外发光及光探测器件，同时也为拓展其它被偶极跃迁禁戒规则限制的半导体材料在光电领域的应用提供参考。
