(一)论文
1、 C.Y.Zang, C.H.Zang, B.Wang, Fabrication and photoluminessence of P doped ZnO nanobelts by thermal evaporation method, Phsica B ,406(2011), 3479-3483.
2、 Zang Chunyu*,Jia Zhixu, Chen qingyou etc, Self-assembled growth and hotoluminescence Zinc/ZnO, Chinese Journal of Luminescence, 2008,29(6):945~949
(二)授权国家发明专利
1、ZL2014102423104, 下降法生长晶体坩埚底部籽晶的装夹方法及装置。
2、ZL 2013106449861 生长CaF2晶体调节温场结构的方法及装置。
3、ZL2013100392855 小梯度温场上升定向生长氟化物单晶的装置及方法。
4、ZL201210509805X 坩埚下降法晶体生长炉的下降装置。
5、ZL 2014102422900 获得平整固液界面的晶体生长方法及装置。